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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法
发明人: 李运涛;  俞育德;  余金中;  于 军;  胡 迪;  任鲁风
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:在铝或铝合金薄膜表面采用阳极氧化方法制作高密度多孔氧化铝模板;步骤2:将多孔氧化铝模板从铝或铝合金薄膜表面上剥离;步骤3:将多孔氧化铝模板转移至DNA微阵列生物芯片基片表面,作为DNA微阵列生物芯片基片的刻蚀掩膜;步骤4:采用刻蚀的方法对DNA微阵列生物芯片基片进行刻蚀;步骤5:移除多孔氧化铝模板,完成高密度DNA微阵列生物芯片的制作。本发明其具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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李运涛;俞育德;余金中;于 军;胡 迪;任鲁风 ,高密度DNA微阵列生物芯片的制作方法,CN200810114509.3 ,2008-06-06
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