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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 高密度DNA测序芯片及其制作方法
发明人: 李运涛;  俞育德;  余金中;  于 军;  胡 迪;  任鲁风
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种高密度DNA测序芯片,其特征在于,包括:一氧化铝薄膜,该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔;一DNA测序芯片的基片;其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成,将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面,形成池壁为氧化铝薄膜,池底为DNA测序芯片的基片表面的微反应池阵列。本发明具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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推荐引用方式:
李运涛;俞育德;余金中;于 军;胡 迪;任鲁风 ,高密度DNA测序芯片及其制作方法,CN200810114536.0 ,2008-06-06
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