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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
发明人: 占 荣;  惠 峰;  赵有文
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法,包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成,形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合,抽真空,用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉,进行气氛掺杂,单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡,得到GaAs单晶,完成GaAs单晶的制备。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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推荐引用方式:
占 荣;惠 峰;赵有文 ,生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法,CN200810114794.9 ,2008-06-11
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