Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 折射面入光探测器的制作方法 | |
| 廖栽宜; 张云霄; 周 帆; 赵玲娟; 王 圩 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2009-12-23 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤:步骤1:在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构;步骤2:在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触;步骤3:在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构;步骤4:在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层;步骤5:在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形掩模图形结构;步骤6:在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下腐蚀出燕尾槽;步骤7:腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件的表面生长第二SiO2层;步骤8:在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面平整;腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层;步骤9:在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极;步骤10:将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电极;步骤11:清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。 |
| 申请日期 | 2008-06-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810115183.6 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13450 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖栽宜,张云霄,周 帆,等. 折射面入光探测器的制作方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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