采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法
鞠研玲; 杨晓红; 韩 勤
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-01-16 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:配置氢氧化铵腐蚀液;步骤2:在衬底上制作一层光刻胶;步骤3:光刻,使光刻胶形成条形光刻胶图案;步骤4:将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀,使衬底形成V型槽,取出,用去离子水反复清洗,然后氮气吹干;步骤5:将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶,氮气吹干,完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。
申请日期2008-07-02
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810116041.1
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13436
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
鞠研玲,杨晓红,韩 勤. 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法[P]. 2010-08-12.
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