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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 倒锥波导耦合器的制作方法
发明人: 尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种倒锥波导耦合器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术,将SOI的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件;步骤2:利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料;步骤3:在SOI的SiO2隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜;步骤4:对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶;步骤5:在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入;步骤6:腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜,形成光纤耦合波导,该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器;步骤7:后烘,完成倒锥波导耦合器的制作。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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推荐引用方式:
尹小杰;王 玥;吴远大;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 ,倒锥波导耦合器的制作方法,CN200810117073.3 ,2008-07-23
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