叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法
王大拯; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-02-03 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法,其特征在于,包括如下:步骤1:制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉,在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法,沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽;步骤2:沿叠层热沉的纵向,在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片;步骤3:在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。
申请日期2008-07-31
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810117495.0
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13398
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王大拯,冯小明,王勇刚,等. 叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法[P]. 2010-08-12.
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