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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法
发明人: 渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
授权日期: 2010-8-12
摘要: 本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器,属半导体光电子领域。其特征在于,包括P型电极(1),P型Si衬底(2),金属键合层(3),P型分布布拉格反射镜(DBR)(4),氧化限制层(5),有源区(6),N型DBR(7),SiO2掩膜(8),聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9),N电极(10),光子晶体(11),出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体,可增大氧化孔径,提高单模输出功率,同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计,便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离,改善器件热学特性,进一步提高单模输出功率。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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渠红伟;郑婉华;刘安金;王 科;张冶金;彭红玲;陈良惠 ,一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法,CN200810119581.5 ,2008-09-03
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