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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法
发明人: 渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
授权日期: 2010-8-12
摘要: 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1),N型GaAs衬底(2),N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3),InP基应变量子阱有源区(4),GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5),其中上DBR(5),由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成,SiO2掩膜(8),P电极(9),出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小,热导、电导差的缺点,不仅可实现很好的电流限制,而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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渠红伟;郑婉华;刘安金;王 科;张冶金;彭红玲;陈良惠 ,一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法,CN200810119582.X ,2008-09-03
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