降低立方氮化硼薄膜应力的方法
范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-03-17 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一硅衬底;步骤2:将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上,用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶,硅靶作为掺杂源;步骤3:将衬底加热;步骤4:离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源,主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶,同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底,使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜;步骤5:在离子束辅助沉积系统中将衬底降温;步骤6:取出制备后的衬底,进行应力参数测试,完成制备。
申请日期2008-09-10
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810119797.1
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13364
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
范亚明,张兴旺,谭海仁,等. 降低立方氮化硼薄膜应力的方法[P]. 2010-08-12.
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