Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 | |
范亚明 ; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
| |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-03-17 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:取一硅衬底;步骤2:将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源;步骤3:将衬底加热;步骤4:离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜;步骤5:在离子束辅助沉积系统中将衬底降温;步骤6:取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。 |
| 申请日期 | 2008-09-10 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810119797.1 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13364 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范亚明,张兴旺,谭海仁,等. 降低立方氮化硼薄膜应力的方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 3548.pdf（391KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [范亚明]的文章 |
| [张兴旺]的文章 |
| [谭海仁]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [范亚明]的文章 |
| [张兴旺]的文章 |
| [谭海仁]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [范亚明]的文章 |
| [张兴旺]的文章 |
| [谭海仁]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论