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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
发明人: 谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
授权日期: 2010-8-12
摘要: 一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影;步骤2:将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中,对基片轰击;步骤3:将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液,时间2分钟;步骤4:用去离子水冲洗基片,并用温氮气吹干;步骤5:再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后,用去离子水冲洗基片,并用温氮气吹干;步骤6:将基片放入金属蒸发炉内,并立即对蒸发炉系统开始抽真空,在基片上淀积金属;步骤7:将基片从金属蒸发炉中取出,用丙酮进行剥离,经乙醇、去离子水清洗后,用温氮气吹干;步骤8:将淀积完金属的基片退火,完成制作。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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推荐引用方式:
谈笑天;郑厚植;刘 剑;杨富华 ,在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法,CN200810119798.6 ,2008-09-10
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