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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 专利

专利名称: 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法
发明人: 张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
授权日期: 2010-8-12
摘要: 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法,该方法是在沉积金属电极之前,利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域,然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极,形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜,提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度,减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率,从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻,改善其欧姆接触特性。此外,在MS技术中,由于溅射出的粒子具有较高能量,使得ZnO/Ti界面原子能充分混合,可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触,为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
专题: 半导体研究所机构知识库_专利

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推荐引用方式:
张兴旺;蔡培锋;游经碧;范亚明;高 云;陈诺夫 ,一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法,CN200810223613.6 ,2008-09-27
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