Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 学科主题 | 半导体材料 |
| MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用 | |
| 杨辉; 梁骏吾; 邓礼生; 郑联喜; 胡雄伟 | |
| 获奖类别 | 院科技进步奖 |
| 获奖等级 | 二等奖 |
| 1994 | |
| 关键词 | Mocvd |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11056 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨辉,梁骏吾,邓礼生,等. MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用. 1994. |
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