Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 学科主题 | 半导体器件 |
| GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究 | |
| 杨桂林; 王炳森; 赵学恕; 李国华 | |
| 获奖类别 | 院科技进步奖 |
| 获奖等级 | 一等奖 |
| 1986 | |
| 关键词 | Gap |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 成果 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10936 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨桂林,王炳森,赵学恕,等. GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究. 1986. |
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