高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 成果

成果名称: 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
主要完成人: 叶式中;  刘巽琅;  刘思林;  孙同年;  焦景华
获奖日期: 1985
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_成果

条目包含的文件

条目无相关文件。



许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
叶式中;刘巽琅;刘思林;孙同年;焦景华.可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 .1985
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [叶式中]的文章
 [刘巽琅]的文章
 [刘思林]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [叶式中]的文章
 [刘巽琅]的文章
 [刘思林]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发