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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: The effect of Fabry-Perot interference on the packaging of SOI-based optoelectronic devices
作者: Xin HL;  Chen P;  Li F;  Wang CX;  Cao P;  Liu YL
出版日期: 2004
会议日期: OCT 18-21, 2004
摘要: During the packaging of optoelectrome device, a problem always met is the instability of output power. The main effect causing this problem, Fabry-Perot interference, is discussed in this paper. Both theoretical analysis and experimental test are carried out and in good agreement. As an example of avoiding the disadvantage of Fabry-Perot interference, the packaging process of Silicon-on-Insulator (SOI) based Variable Optical Attenuator(VOA) is shown at last.
会议名称: 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
会议文集: 2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Xin, HL; Chen, P; Li, F; Wang, CX; Cao, P; Liu, YL .The effect of Fabry-Perot interference on the packaging of SOI-based optoelectronic devices .见:IEEE .2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2004,VOLS 1- 3 PROCEEDINGS: 2021-2024
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