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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: A silicon capacitive microphone based on oxidized porous silicon sacrificial technology
作者: Ning, J;  Liu, ZL;  Liu, HZ;  Ge, YC
出版日期: 2004
会议日期: OCT 18-21, 2004
摘要: In this paper, a new capacitive microphone fabrication technology is proposed. It describes using the oxidized porous silicon sacrificial technology to make air gap and using KOH etching technique to make the backplate containing acoustic holes based on the principle that the heavy p(+)-doping silicon can be nearly etched in KOH solution. The innovation of the method is using oxidized porous silicon technology. The sensitivity of the fabricated microphone is from -55dB ( 1.78mV/Pa) to -45dB (5.6mV/Pa) in the frequency range of 500Hz to 25kHz. Its cut-off frequency is higher than 20kHz.
会议名称: 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
会议文集: 2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Ning, J; Liu, ZL; Liu, HZ; Ge, YC .A silicon capacitive microphone based on oxidized porous silicon sacrificial technology .见:IEEE .2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2004,VOLS 1- 3 PROCEEDINGS: 1872-1875
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