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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
作者: Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL
出版日期: 2004
会议日期: OCT 18-21, 2004
摘要: Ionizing radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the, fluorinated SIMOX wafers has been investigated. The experimental data show that the, radiation-induced threshold voltage shift of PMOSFETs and NMOSFETs, as well as the radiation-induced increase of off-state leakage current of NMOSFETs can be restrained by implanting fluorine ions into the buried oxide of SIMOX wafers.
会议名称: 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
KOS主题词: Lithography, Electron beam;  Fluorine;  Ionizing radiation;  Radiation
会议文集: 2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Li, N; Zhang, GQ; Liu, ZL; Fan, K; Zheng, ZS; Lin, Q; Zhang, ZX; Lin, CL .Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers .见:IEEE .2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2004,VOLS 1- 3 PROCEEDINGS: 851-855
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