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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: High performance resonant tunneling diode on a new material structure
作者: Wang JL;  Liu ZL;  Wang LC;  Zeng YP;  Yang FH;  Bai YX
出版日期: 2004
会议日期: OCT 18-21, 2004
摘要: A new material structure with Al0.22Ga0.78As/In0.15Ga0.85As/GaAs emitter spacer layer and GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs well for resonant tunneling diodes is designed and the corresponding device is fabricated. RTDs DC characteristics are measured at room temperature. Peak-to-valley current ratio (PVCR) is 7.44 for RTD Analysis on these results suggests that the material structure will be helpful to improve the quality, of RTD.
会议名称: 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology
会议文集: 2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Wang, JL; Liu, ZL; Wang, LC; Zeng, YP; Yang, FH; Bai, YX .High performance resonant tunneling diode on a new material structure .见:IEEE .2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2004,VOLS 1- 3 PROCEEDINGS: 648-650
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