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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
作者: Fan WJ;  Abiyasa AP;  Tan ST;  Yu SF;  Sun XW;  Xia JB;  Yeo YC;  Li MF;  Chong TC
出版日期: 2006
会议日期: JUL 03-08, 2005
摘要: The band structures of wurtzite ZnO are calculated using the empirical pseudopotential method (EPM). The 8 parameters of the Zn and O atom pesudopotential form factors with Schluter's formula are obtained. The effective mass parameters are extracted by using k.p Hamiltonian to fit the EPM results. The calculated band edge energies (E-g, E-A, E-B, and E-C) at Gamma point are in good agreement with experimental results. The ordering of ZnO at the top of valence band is found to be A(Gamma(7))-B(Gamma(9))-C(Gamma(7)) due to a negative spin-orbit (SO) splitting. Based on the band parameters obtained, the valence hole subbands of wurzite ZnO/MgxZn1-xO tensile-strained quantum wells (QWs) with different well widths and Mg compositions are calculated using 6-band k.p method. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
会议名称: 3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2005)/9th International Conference on Advanced Materials (ICAM 2005)
KOS主题词: Computer simulation
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Fan, WJ; Abiyasa, AP; Tan, ST; Yu, SF; Sun, XW; Xia, JB; Yeo, YC; Li, MF; Chong, TC .Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well .见:ELSEVIER SCIENCE BV .JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,JAN 18 2006,287 (1): 28-33
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