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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
作者: Zhao, YW (Zhao, Y. W.);  Dong, ZY (Dong, Z. Y.);  Deng, AH (Deng, A. H.)
出版日期: 2006
会议日期: SEP 13-19, 2005
摘要: Electron irradiation-induced deep level defects have been studied in InP which has undergone high-temperature annealing in phosphorus and iron phosphide ambients, respectively. In contrast to a high concentration of irradiation-induced defects in as-grown and phosphorus ambient annealed InP, InP pre-annealed in iron phosphide ambient has a very low concentration of defects. The phenomenon has been explained in terms of a faster recombination of radiation-induced defects in the annealed InP. The radiation-induced defects in the annealed InP have been compared and studied. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved.
会议名称: 11th Conference on Defects Recognition Imaging and Physics in Semiconductors
KOS主题词: Indium phosphide
会议文集: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Zhao, YW (Zhao, Y. W.); Dong, ZY (Dong, Z. Y.); Deng, AH (Deng, A. H.) .Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature .见:ELSEVIER SCI LTD .MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD OX5 1GB, OXON, ENGLAND ,FEB-JUN 2006,9 (1-3): 380-383
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