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InGaN基LED生长及发光效率提升研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  赵玲慧
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Linghui;  Wei, Tongbo;  Wang, Junxi;  Yan, Qingfeng;  Zeng, Yiping;  Li, Jinmin
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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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折射率渐变的光子晶体发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人:  赵玲慧;  马平;  甄爱功;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：692/88  |  提交时间：2014/11/24