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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1699/296  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma SS (Ma Shan-Shan);  Wang, BR (Wang Bao-Rui);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Wu DH (Wu Dong-Hai);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ma, SS, Chinese Acad Sci, SKLSM, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
Adobe PDF(671Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：905/231  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu BP;  Wu DH;  Xiong YH;  Huang SS;  Ni HQ;  Xu YQ;  Niu ZC;  Wu BP Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(300Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：805/199  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Wu DH;  Wu BP;  Ni HQ;  Huang SS;  Xiong YH;  Wang PF;  Han Q;  Niu ZC;  Tangring I;  Wang SM;  Wang HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 10008 Peoples R China. E-mail Address: hlwang_19841220@163.com
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GaAs 基1.55 μm GaInNAs(Sb)、异变InGaAs 量子阱材料与激光器 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  吴东海
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, BP;  Wu, DH;  Ni, HQ;  Huang, SS;  Zhan, F;  Xiong, YH;  Xu, YQ;  Niu, ZC;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wudonghai@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1088Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：872/220  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tangring, I;  Ni, HQ;  Wu, BP;  Wu, DH;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Niu, ZC;  Wang, SM;  Lai, ZH;  Larsson, A;  Tangring, I, Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: ivar.tangring@mc2.chalmers.se
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Fang, ZD (Fang, Z. D.);  Huang, SS (Huang, S. S.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Wu, DH (Wu, D. H.);  Shun, Z (Shun, Z.);  Han, Q (Han, Q.);  Wu, RH (Wu, R. H.);  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nihq@red.semi.ac.cn
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1628/227  |  提交时间：2009/06/11