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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BT (Wang Bao-Tian);  Shi HL (Shi Hongliang);  Li WD (Li Wei-Dong);  Zhang P (Zhang Ping);  Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu AJ (Liu AnJin);  Qu HW (Qu HongWei);  Xing MX (Xing MingXin);  Chen W (Chen Wei);  Zhou WJ (Zhou WenJun);  Zheng WH (Zheng WanHua);  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: whzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu AJ (Liu An-Jin);  Xing MX (Xing Ming-Xin);  Qu HW (Qu Hong-Wei);  Chen W (Chen Wei);  Zhou WJ (Zhou Wen-Jun);  Zheng WH (Zheng Wan-Hua);  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: whzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XC;  Lu JJ;  Yang SR;  Lu JJ Chinese Acad Sci Lanzhou Inst Chem Phys State Key Lab Solid Lubricat Lanzhou 730000 Peoples R China. E-mail Address: jjlu@lzb.ac.cn
Adobe PDF(1220Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：976/290  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang H;  Zhang SM;  Yang H;  Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  X-ray Diffraction  Defects  Single Crystal  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, HB;  Yang, SY;  Zhang, PF;  Wei, HY;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Zhu, QS;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Yang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sh-yyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JM;  Dong ZY;  Wei XC;  Duan ML;  Li JM;  Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H;  Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Wafer Bunding  Cubic Gan  Light-emitting-diodes  Field-effect Transistor  Single-crystal Gan  Microwave Performance  Mirror  Junction  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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