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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Likai Li;  Fangyuan Yang;  Guo Jun Ye;  Zuocheng Zhang;  Zengwei Zhu;  Wenkai Lou;  Xiaoying Zhou;  Liang Li;  Kenji Watanabe;  Takashi Taniguchi;  Kai Chang;  YayuWang;  Xian Hui Chen;  Yuanbo Zhang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Likai Li;  Fangyuan Yang;  Guo Jun Ye;  Zuocheng Zhang;  Zengwei Zhu;  Wenkai Lou;  Xiaoying Zhou;  Liang Li;  Kenji Watanabe;  Takashi Taniguchi;  Kai Chang;  YayuWang;  Xian Hui Chen* and Yuanbo Zhang
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砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
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利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李凯;  叶小玲;  金鹏;  王占国
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GaAs基In(Ga)As量子环的材料生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  李凯
Adobe PDF(2299Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：579/10  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  裴为华;  陈弘达;  唐君;  鲁琳;  刘金彬;  吴惠娟;  陈晶华;  胡小凤;  黎晓新;  李凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  金峰;  鲁华祥;  李凯;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(1222Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：982/311  |  提交时间：2010/11/23