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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李士颜
Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：720/63  |  提交时间：2016/06/02
高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器