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4H-SiC快速外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  刘斌
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4h-sic  碳化硅  快速外延生长  Fast Epitaxial Growth  
碳化硅大面积多片外延生长技术及物性表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  董林
Adobe PDF(6447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：758/58  |  提交时间：2014/06/03
碳化硅  外延生长  物性表征  产业化  化学气相沉积