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| Al(Ga)N材料光致发光性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 王维颖
 Adobe PDF(4605Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1097/89 | 提交时间：2014/06/03
Algan 深紫外光致发光 高温热退火 Gan/algan量子阱 界面粗糙 偏振特性 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lv XQ; Jin P ; Wang WY; Wang ZG; Lv, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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| 基于电子束曝光技术的硅纳米线器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 王颖
Adobe PDF(6054Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1076/86 | 提交时间：2010/06/08 |
| 环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 王 颖; 韩伟华; 杨 香; 张 杨; 杨富华
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| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 任丙彦; 刘晓平; 许颖; 王敏花; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯
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| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青; 王宝军; 陈娓兮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 潘教青; 赵谦; 朱洪亮; 赵玲娟; 丁颖; 王宝军; 周帆; 王鲁峰; 王圩
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| 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丁颖; 王圩; 王书学; 朱洪亮
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