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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. tbwei@semi.ac.cn
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金属有机物化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡强;  魏同波;  段瑞飞;  羊建坤;  霍自强;  卢铁城;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji Xiaoli;  Yang Fuhua;  Wang Junxi;  Duan Ruifei;  Ding Kai;  Zeng Yiping;  Wang Guohong;  Li Jinmin
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一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
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一种氮化物材料的外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
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一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu Q;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: lutiecheng@scu.edu.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wang JX;  Zeng YP;  Li JM;  Yang Y;  Liu YL;  Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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