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窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李俊斌
Adobe PDF(4822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：945/126  |  提交时间：2016/05/30
Inas/gasb异质结  背景载流子  双载流子霍尔模型  非平衡载流子寿命  时间分辨泵浦–探测反射率测量  光螺旋度依赖的光电流