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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  何超
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Si 基发光器件  Ge/si 量子点  Ge/sige 量子阱  Ge 薄膜  
无权访问的条目 学位论文
作者:  李冲
Adobe PDF(6685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：900/62  |  提交时间：2014/06/03