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Studies of 6H-SiC devices 会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sic  Schottky  Pn Junction Diodes  Mos Capacitor  Junction Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑一阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Ruikang;  Zhong Yuan;  Xu Yingqiang;  Zhang Wei;  Du Yun;  Huang Yongqing;  Ren Xiaomin;  Pan Zhang;  Lin Yaowang
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1302/437  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu Xiaopeng;  Xu Zuntu;  Zhang Jingming;  Ma Xiaoyu;  Chen Lianghui
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴根柱;  杜宝勋;  杨进华;  任大翠;  张兴德
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方高瞻;  肖建伟;  马骁宇;  谭满清;  冯小明;  潘贵生
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄辉;  黄永清;  任晓敏;  高俊华;  罗丽萍;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘海山;  欧阳征标;  李景镇;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宁瑾;  刘忠立;  赵慧
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张存善;  张延生;  段晓峰;  赵红东;  刘文楷
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