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深耗尽型金刚石MISFET的模拟仿真研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  徐鹏飞
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提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010191207.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  徐鹏飞;  杨涛
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1183/242  |  提交时间：2011/08/31