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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hou, QF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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Color filter-less technology of LED back light for LCD-TV - art. no. 68410G 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Fan, MN;  Liang, M;  Guo, DB;  Yang, FH;  Wang, LC;  Wang, GH;  Li, JM;  Fan, MN, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Led Back Light Unit  Color Filter-less  Emitting Phosphors  Liquid Crystal Display  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, TB;  Duan, RF;  Wang, JX;  Li, JM;  Huo, ZQ;  Yang, JK;  Zeng, YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, LL;  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, HX;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Li, JM;  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, W;  Yang, JL;  Sun, GS;  Liu, XF;  Yang, FH;  Li, JM;  Zhou, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jlyang@semi.ac.cn
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan/gan Hemts  
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gas Sensors  Hemt Structures  Mobility  Temperature  Transistors  Growth  Mocvd  Layer