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| 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人: 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
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| 低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人: 彭红玲; 陈良惠; 郑婉华; 石 岩; 渠红伟; 杨国华; 何国荣
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| 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人: 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Changsha; Zeng Xiangbo; Peng Wenbo ; Shi Mingji; Liu Shiyong; Xiao Haibo; Wang Zhanguo; Chen Jun; Wang Shuangqing
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张曾; 张荣; 谢自力; 刘斌; 修向前; 李弋; 傅德颐; 陆海; 陈鹏; 韩平; 郑有炓; 汤晨光; 陈涌海; 王占国
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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者: Chen YH; Tang CH; Xu B; Jin P; Wang ZG; Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周立; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 申继伟; 郭亨群; 吕蓬; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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