|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕 ; 李艳
 Adobe PDF(386Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1361/257 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li YQ; Yang Y; Fu SY; Yi XY; Wang LC; Chen HD; Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
Adobe PDF(1243Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1489/605 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王立彬; 陈宇; 刘志强; 伊晓燕; 马龙; 潘领峰; 王良臣
Adobe PDF(572Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1567/500 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王立彬; 刘志强; 陈宇; 伊晓燕; 马龙; 潘领峰; 王良臣
Adobe PDF(501Kb) | 收藏 | 浏览/下载：946/269 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 马龙; 王立彬; 陈宇
Adobe PDF(443Kb) | 收藏 | 浏览/下载：879/278 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 伊晓燕; 郭金霞; 马龙; 王立彬; 陈宇; 刘志强; 王良臣
Adobe PDF(237Kb) | 收藏 | 浏览/下载：964/278 | 提交时间：2010/11/23 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(279Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1492/288 | 提交时间：2011/08/31 |
