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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang XW (Jiang Xiang-Wei);  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Wang LW (Wang Lin-Wang);  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, F (Wang, Fei);  Li, SS (Li, Shu-Shen);  Xia, JB (Xia, Jian-Bai);  Jiang, HX (Jiang, H. X.);  Lin, JY (Lin, J. Y.);  Li, J (Li, Jingbo);  Wei, SH (Wei, Su-Huai);  Wang, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: suhuai_wei@nrel.gov
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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Liang JW (Liang J. W.);  Hao XP (Hao X. P.);  Wei L (Wei L.);  Li X (Li X.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kai Zheng;  Tao Lin;  Li Jiang;  Jun Wang;  Suping Liu;  Xin Wei;  Guangze Zang;  Xiaoyu Ma
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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  张广泽;  张洪波;  马骁宇;  李献杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  左玉华;  毛容伟;  黄昌俊;  蔡晓;  李传波;  成步文;  罗丽萍;  高俊华;  白云霞;  姜磊;  马朝华;  王良臣;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于广华;  李明华;  朱逢吾;  柴春林;  姜宏伟;  赖武彦
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