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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG (Wang Zhiguo); Gao F (Gao Fei); Li JB (Li Jingbo); Zu XT (Zu Xiaotao); Weber WJ (Weber William J.); Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. 电子邮箱地址: zgwang@uestc.edu.cn; fei.gao@pnl.gov; jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG (Wang Zhiguo); Wang SJ (Wang Shengjie); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.); Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China, Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China.
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| GaAs基1.5μm异变InAs量子点材料的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 王鹏飞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏莱; 王守觉; 徐菲菲; 王睿智
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 鞠研玲; 杨晓红 ; 韩勤; 杜云; 倪海桥; 黄社松; 王鹏飞; 贺继方; 牛智川
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| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明
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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 左玉华; 王启明
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| AlInGaN 四元合金的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 王飞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王守觉; 周凌飞
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