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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
Adobe PDF(2499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：861/52  |  提交时间：2015/06/02
Gan  Mocvd