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| 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993
发明人: 陈志刚; 张 杨; 杨富华
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Wang H (Wang Hui); Chen GF (Chen Gui-Feng); Yang H (Yang Hui); Zhu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjzhu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈微 ; 邢名欣; 任刚; 王科; 杜晓宇; 张冶金; 郑婉华
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| 一种制作皮肤干电极的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 裴为华; 陈海峰; 崔世钢; 张若昕; 陈弘达
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| 一种单模光子晶体偏振分束器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任刚; 郑婉华; 邢名欣; 王科; 杜晓宇; 陈良惠
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| 一种光子晶体减慢光速效应的测量方法及测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 任刚; 邢名欣; 王科; 杜晓宇; 陈良惠
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| 二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠
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| 高频GaN 基HEMT 的设计与实现 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 陈志刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王科; 郑婉华; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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