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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 张连; 曾建平; 魏同波; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
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| 紫外发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| 一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-02
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 董鹏; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人: 姬小利; 郭金霞; 马平; 马骏; 魏同波; 伊晓燕; 王军喜; 杨富华; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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| 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏
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