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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张明兰;  杨瑞霞;  王晓亮;  胡国新;  高志
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  赵杰;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张明兰;  王晓亮;  杨瑞霞;  胡国新
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锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李彦波;  张杨;  曾一平
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张雨溦;  张杨;  曾一平
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基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102376874A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张杨;  曾一平
Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1728/266  |  提交时间:2012/08/29