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无权访问的条目 期刊论文
作者:  霍永恒;  马文全;  张艳华;  黄建亮;  卫炀;  崔凯;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Y;  Ma WQ;  Huang JL;  Zhang YH;  Huo YH;  Cui K;  Chen LH;  Shi YL;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. wqma@semi.ac.cn
Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1358/313  |  提交时间：2011/07/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL;  Ma WQ;  Wei Y;  Zhang YH;  Huo YH;  Cui K;  Chen LH;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. wqma@semi.ac.cn
Adobe PDF(120Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1418/492  |  提交时间：2011/07/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘小宇;  马文全;  张艳华;  霍永恒;  种明;  陈良惠
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1482/405  |  提交时间：2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：992/303  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Jiang DS;  Johnson S;  Zhang YH;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
Adobe PDF(62Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1359/467  |  提交时间：2010/08/12
两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171382.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘小宇;  马文全;  张艳华;  种明
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