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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen L;  Yan S;  Xu PF;  Lu J;  Wang WZ;  Deng JJ;  Qian X;  Ji Y;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang WZ;  Deng JJ;  Lu J;  Chen L;  Ji Y;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi JF;  Zhao JH;  Deng JJ;  Zheng YH;  Wang WZ;  Lu J;  Ji Y;  Li SS;  Bi, JF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan HD;  Zheng HZ;  Deng JJ;  Bi JF;  Zhu H;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhao JH;  Gan, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hdgan@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王博;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  杨俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨俊;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  王博
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  苗杉杉;  董志远;  吕小红;  邓爱红;  杨俊;  王博
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1038/184  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun BQ (Sun Baoquan);  Jiang DS (Jiang Desheng);  Sun Z (Sun Zheng);  Ruan XZ (Ruan Xuezhong);  Deng JJ (Deng Jiajun);  Zhao JH (Zhao Jianhua);  Ji Y (Ji Yang);  Xu ZY (Xu Zhongying);  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: bqsun@red.semi.ac.cn
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