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| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平
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| 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 闫果果; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 曾一平
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| 一种原子层沉积设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 赵万顺; 张峰; 王雷; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平
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| 碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北
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| BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-11-14
发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 曾一平
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| 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅薄膜生长设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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