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作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
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半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
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一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201589.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  张严波;  赵凯;  杨富华
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1099/84  |  提交时间：2011/08/31