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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张倩莉,于芳,刘忠立,李艳,陈亮,李明,郭旭峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Qian-Li;  Yu, Fang;  Liu, Zhong-Li;  Li, Yan;  Chen, Liang;  Li, Ming;  Guo, Xu-Feng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Yan;  Wu, Lihua;  Han, Xiaowei;  Li, Ming;  Liu, Guizhai;  Zhang, Feng;  Guo, Xufeng;  Zhao, Kai;  Stanley, L. Chen;  Yu, Fang;  Liu, Zhongli;  Li, Yan;  Zhang, Qianli;  Chen, Liang;  Zhang, Guoquan;  Li, Jianzhong;  Yang, Bo;  Gao, Jiantou;  Wang, Jian
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Architecture-Specific Mapping Tool for SOI-Based FPGA 会议论文
MICRO NANO DEVICES, STRUCTURE AND COMPUTING SYSTEMS, 159: 438-443, Singapore, SINGAPORE, NOV 06-07, 2010
作者:  Zhang QL (Zhang Qianli);  Yu F (Yu Fang);  Li Y (Li Yan);  Li M (Li Ming);  Zhao Y (Zhao Yan);  Chen L (Chen Liang)
Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1680/378  |  提交时间：2011/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Xiaowei;  Wu, Lihua;  Zhao, Yan;  Li, Yan;  Zhang, Qianli;  Chen, Liang;  Zhang, Guoquan;  Li, Jianzhong;  Yang, Bo;  Gao, Jiantou;  Wang, Jian;  Li, Ming;  Liu, Guizhai;  Zhang, Feng;  Guo, Xufeng;  Stanley, L. Chen;  Liu, Zhongli;  Yu, Fang;  Zhao, Kai;  Han, X.(xiaowei@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY;  Wang XF;  Wang XD;  Fan ZC;  Li Y;  Ji A;  Yang FH;  Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn;  wangxiaofeng@semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Jiayong;  Wang Xiaofeng;  Wang Xiaodong;  Ma Huili;  Cheng Kaifang;  Fan Zhongchao;  Li Yan;  Ji An;  Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1693/477  |  提交时间：2010/06/07
采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐龙娟;  杨晋玲;  解婧;  李艳;  杨富华
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以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李艳;  杨富华;  裴为华
Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1798/278  |  提交时间：2011/08/31
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李艳;  杨富华;  唐龙娟;  朱银芳
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