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3-4 μm 锑化物“W”型二类量子阱激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  迂修
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“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  迂修;  张宇;  王国伟;  徐应强;  徐云;  宋国峰
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