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| 晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵洪泉; 于丽娟 ; 黄永箴
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| 一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵洪泉; 于丽娟; 黄永箴
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| 硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 于丽娟; 杜云; 赵烘泉; 黄永箴
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| 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128380.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 晏磊; 于丽娟
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| Z字形自准直半导体光放大器热沉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 于丽娟; 刘建国; 祝宁华
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| 外腔窄线宽激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华
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| 少模面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华
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| 斜腔半导体光放大器的耦合方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 于丽娟; 王玮钰; 袁海庆; 刘建国; 祝宁华
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| 测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 王玮钰; 于丽娟; 孙文惠; 刘建国; 祝宁华
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