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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曹洁; 曲胜春 ; 刘孔; 王占国
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊朋; 曲胜春; 王占国
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| 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊朋; 曲胜春; 王占国
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| 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 王占国
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| 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 徐波; 张春林; 王占国
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| 氧化锌-维纳米材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭文琴; 曲胜春; 王占国
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| 半导体纳米晶的化学制备和结构、物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者: 曲胜春
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| 不同粒径银纳米颗粒修饰二氧化钛纳米管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256808.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 谭付瑞; 曲胜春; 王占国
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